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在電子芯片制造邁向納米級精度的進程中,清洗工藝的水質把控已成為決定芯片良率與性能的關鍵因素。超純水設備憑借極致的凈化能力與穩定的產水品質,深度融入芯片制造的核心環節,以近乎 “零雜質” 的水源為晶圓表面清潔構筑起堅實防線,成為支撐高端芯片生產不可或缺的技術保障。
芯片制造對清洗水質的極致要求
電子芯片生產包含光刻、刻蝕、薄膜沉積等數百道精密工序,每一步都對清洗用水提出嚴苛標準。哪怕是微量的金屬離子(如鐵、銅)、有機物或顆粒雜質,都可能在晶圓表面形成缺陷:
電學性能干擾:殘留離子會改變芯片電路的導電性,導致短路或信號傳輸異常;
結構完整性破壞:微小顆粒附著在晶圓表面,可能影響光刻膠的均勻涂布,造成圖案轉移失真;
化學污染風險:水中溶解的有機物與晶圓表面材料發生反應,腐蝕敏感結構,降低芯片可靠性。
超純水設備產出的水質需達到極低的電導率與 TOC(總有機碳)含量,方能滿足芯片制造的精密需求。
超純水設備的適配性優勢體現
超純水設備通過多級過濾與深度純化技術,精準匹配芯片清洗的特殊要求:
高效雜質截留:采用反滲透膜、電去離子(EDI)及拋光樹脂的組合工藝,可去除水中 99% 以上的溶解鹽類、膠體與有機物,將離子濃度控制在 ppb 甚至 ppt 級別,確保清洗用水不會引入新的污染物;
純物理處理過程:整個制水過程不添加化學藥劑,避免因藥劑殘留對晶圓表面造成二次污染,契合芯片制造對 “零化學殘留” 的嚴格標準;
穩定水質供應:設備通過智能化控制系統實時監測水質參數,自動調節運行狀態,確保不同批次生產中清洗用水的一致性,保障芯片制造工藝的穩定性。
芯片清洗環節的核心應用場景
在芯片制造流程中,超純水設備主要應用于三大關鍵場景:
光刻膠去除:光刻工藝完成后,需使用超純水配合清洗劑剝離晶圓表面的光刻膠。高純度水源可避免殘留物與光刻膠發生化學反應,確保光刻圖案的完整性;
刻蝕后清洗:刻蝕工序會在晶圓表面殘留蝕刻劑與反應物,超純水通過高壓噴淋或兆聲波清洗,將微小顆粒與化學物質徹底沖洗,防止殘留物質影響后續薄膜沉積;
最終沖洗:芯片封裝前的最終清洗環節,超純水以 “滴水成珠” 的潔凈度對晶圓表面進行精洗,確保無任何雜質殘留,為芯片長期穩定運行奠定基礎。
技術資料
萊特萊德工程案例